用分步注入法改善SOI-SIMNI薄膜材料的电学性能

• 作者: Heiner Ryssel 卢殿通 黄栋
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子注入 SOI-SIMNI材料 分步注入 霍耳效应测量
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快讯
• 页码范围: 185-188
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2435字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.01.036

摘要

采用常规方法和分步注入法制备SOI-SIMNI(Silicon on Insulator-Separation by Implantation of Nitrogen)薄膜材料.用液氦低温霍耳效应进行了分析测量.测量结果表明：分步注入法制备得到的样品具有低的薄层电阻R□和较高的载流子迁移率.实验证明用分步注入法可以明显改善SIMNI薄膜材料的电学性能.对实验结果和机理进行了解释.