CeO2/Si薄膜PL谱的“紫移”

• 作者: 刘志凯 廖梅勇 杨少延 柴春林 王占国 陈诺夫
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 工学
• 关键词: CeO2/si薄膜 PL谱 “紫移”
• 年，卷（期）: 2001,（18）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 1511-1513
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 1944字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2001.18.004

摘要

利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜,椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100 nm,折射系数约为2.455.实验中发现未经退火处理的CeO2室温光致发光(PL)谱存在着“紫移”现象,其移动距离约为65nm.利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明,PL谱的移动与氧化物中Ce离子价态有关.当Ce离子价态发生Ce4+→Ce3+变化时,其PL谱峰位要从蓝光区向紫光区移动,出现发光峰“紫移”现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘志凯	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	17	43	4.0	5.0
2	柴春林	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	14	46	4.0	6.0
3	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	101	701	15.0	23.0
4	陈诺夫	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	33	154	6.0	11.0
5	廖梅勇	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	7	15	2.0	3.0
6	杨少延	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	17	35	3.0	5.0