用肖特基电容-电压特性数值模拟法确定调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中的极化电荷

• 作者: 俞慧强 刘杰 周慧梅 周玉刚 张荣 施毅 沈波 郑有炓
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlxGa1-xN/GaN异质结 极化电荷 电容-电压特性 数值模拟
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1774-1778
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3470字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.09.028

摘要

研究发展了用肖特基电容-电压特性数值模拟确定调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中极化电荷的方法.在调制掺杂的Al0.22Ga0.78N/GaN异质结上制备了Pt肖特基接触,并对其进行了C-V测量.采用三维费米模型对调制掺杂的Al0.22Ga0.78N/GaN异质结上肖特基接触的C-V特性进行了数值模拟,分析了改变样品参数对C-V特性的影响.利用改变极化电荷、n-AlGaN层掺杂浓度和肖特基势垒高度对C-V曲线不同部分位置和形状影响不同,可以精确地求取极化电荷面密度.通过模拟,得到Al0.22Ga0.78N厚度为45 nm的调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结界面附近极化电荷面密度为6.78×1012cm-2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘杰	南京大学物理系	27	427	8.0	20.0
2	施毅	南京大学物理系	103	490	13.0	17.0
3	郑有炓	南京大学物理系	78	353	11.0	15.0
4	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
5	沈波	南京大学物理系	34	136	7.0	10.0
6	俞慧强	南京大学物理系	9	65	3.0	8.0
7	周玉刚	南京大学物理系	9	15	2.0	3.0
8	周慧梅	南京大学物理系	4	8	2.0	2.0