分子束外延GaN薄膜的X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究

• 作者: 徐卓 李爱珍 苑进社 陈光德 齐鸣
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN薄膜 X射线光电子能谱 俄歇电子能谱 表面分析
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、热学和力学性质
• 页码范围: 2429-2433
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 4125字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.12.027

摘要

用XPS和AES电子能谱的方法对等离子体辅助分子束外延(MBE)生长的GaN薄膜进行了表面分析和深度剖析.发现红外分子束外延(RF-MBE)生长的富镓GaN薄膜实际表面存在O和C吸附层,C主要为物理吸附,而O在GaN表面形成局域化学键产生氧络合物覆盖层,并形成一定的深度分布.杂质O在GaN带隙中导带底形成杂质带同时引入深受主能级,使得带隙变窄室温光吸收谱向低能方向移动,光致发光谱出现宽带发光峰.从而影响GaN薄膜的电学和光学性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐卓	西安交通大学电子材料研究所	106	610	13.0	18.0
2	齐鸣	中国科学院上海冶金研究所	34	145	8.0	9.0
3	李爱珍	中国科学院上海冶金研究所	52	397	10.0	16.0
4	陈光德	西安交通大学应用物理系	65	517	13.0	18.0
5	苑进社	西安交通大学应用物理系	11	129	5.0	11.0