有机单体3-phenyl-1-ureidonitrile薄膜的超高密度信息存储

• 作者: 宋延林 庞世瑾 张昊旭 时东霞 解思深 高鸿钧
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 超高密度信息存储 有机薄膜 扫描隧道显微镜(STM)
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快讯
• 页码范围: 361-364
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 1811字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.02.031

摘要

采用扫描隧道显微镜(STM)在3-phenyl-1-ureidonitrile (PUN)有机单体薄膜上进行了超高密度信息存储的研究.通过在STM针尖和高定向裂解石墨(HOPG)衬底之间施加一系列的电压脉冲，在薄膜上写入了一个稳定的5×6信息点阵，信息点的大小是0.8?nm.电流-电压(I-V)曲线表明，施加电压脉冲前后薄膜的导电性质发生了变化.信息点的写入机制可能是强电场作用下引发的PUN分子的局域聚合，从而导致薄膜由高电阻态向低电阻态转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋延林		61	692	12.0	25.0
2	高鸿钧	中国科学院物理研究所	44	262	10.0	14.0
3	时东霞	中国科学院物理研究所	23	165	8.0	12.0
5	解思深	中国科学院物理研究所	35	367	10.0	18.0
6	庞世瑾	中国科学院物理研究所	10	77	5.0	8.0
9	张昊旭	中国科学院物理研究所	7	50	5.0	7.0