哈斯勒合金Ni-Mn-Ga的马氏体相变和磁增强双向形状记忆效应

• 作者: 吴光恒 敖玲 柳祝红 王文洪 胡凤霞 陈京兰 高书侠
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 形状记忆效应 马氏体相变 Ni2MnGa
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、教学和力学性质
• 页码范围: 233-238
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 5534字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.02.009

摘要

通过研究铁磁性金属间化合物Ni2+xMn1-xGa(x=-0.1,0,0.08,0.13,0.18,0.2)和Ni2-xMn1+x/2Ga1+x/2(x=-0.1,0,0.04,0.06,0.1)两个系列多晶样品的交流磁化率随温度的变化行为，得到了化合物在不同组分下的马氏体相变温度TM和居里温度TC.发现随着Ni成分的增加，前者的马氏体相变温度Tm增加，而居里温度TC降低，后者的马氏体相变温度Tm和居里温度TC均是先增大后减小.报道了Tm在室温附近的单晶样品Ni52Mn24Ga24的磁场增强双向形状记忆效应.发现伴随着马氏体相变，样品在［001］方向可产生1.2%的收缩.如果在该方向施加1.2T的偏磁场可以使该应变值增大到4.0%.而垂直于［001］方向施加1.2T的偏磁场时，在［001］方向产生1.6%的膨胀.阐明了产生大应变的原因并非相界移动，而是单晶的杂散内应力小和外加磁场通过孪晶界移动使马氏体变体重组的共同结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	敖玲	中央民族大学物理系	13	84	4.0	9.0
2	柳祝红	中国科学院物理研究所	10	112	6.0	10.0
3	吴光恒	中国科学院物理研究所	41	256	9.0	14.0
4	陈京兰	中国科学院物理研究所	21	178	9.0	13.0
5	胡凤霞	中国科学院物理研究所	6	93	5.0	6.0
6	王文洪	中国科学院物理研究所	20	129	6.0	11.0
7	高书侠	河北师范大学物理系	8	54	4.0	7.0