Ge-SiO2薄膜的光致发光及其机制

• 作者: 叶春暖 吴雪梅 姚伟国 汤乃云 董业民 诸葛兰剑 陈静
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ge-SiO2薄膜 射频磁控溅射 光致发光 发光机制
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 525-528
• 页数: 4页
• 分类号: O485|YG1
• 字数: 2501字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2001.06.020

摘要

采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜. 薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理. 根据X射线衍射(XRD)谱估算了Ge纳米晶粒的平均尺寸. 经600～1000℃退火, Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9 nm增至6.1 nm. 在紫外光的激发下, 所有样品都发出很强的394 nm的紫光. 随着Ge纳米晶粒的出现, 样品有580 nm的黄光发出, 其强度随着晶粒的增大而增强. 对于经不同温度退火的样品, 这两个波段的峰位都保持不变. 根据分析结果对光致发光的机制进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈静	中国科学院上海冶金研究所	195	2091	24.0	37.0
2	吴雪梅	苏州大学物理系	72	331	9.0	13.0
3	诸葛兰剑	苏州大学物理系	59	199	8.0	11.0
4	汤乃云	苏州大学物理系	10	38	4.0	5.0
5	叶春暖	苏州大学物理系	11	54	4.0	6.0
6	姚伟国	苏州大学物理系	21	66	4.0	6.0
7	董业民	苏州大学物理系	7	27	3.0	5.0