GaAs/AlxGa1-xAs表面单量子阱原位光调制反射光谱研究

• 作者: 史国良 徐文兰 李志锋 沈学础 缪中林 蔡炜颖 陆卫 陈平平
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 表面量子阱(SQW) 原位光调制反射光谱(PR) 分子束外延(MBE)
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 111-115
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2614字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.01.022

摘要

用分子束外延（MBE）方法生长了两种典型阱宽（5nm和10nm）的表面单量子阱，表面量子阱中的受限态被表面真空势垒和AlxGa1-xAs势垒束缚.以原位光调制光谱（PR）作为测量手段，明确观察到表面量子阱中空穴子带到电子子带的光跃迁以及真空势垒对于不同阱宽表面量子阱中的受限电子态的束缚作用，并且看到了10nm表面量子阱激发态的跃迁峰.采用有效质量近似理论对实验结果作了较好的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆卫	中国科学院上海技术物理研究所	95	442	12.0	16.0
2	李志锋	中国科学院上海技术物理研究所	37	186	8.0	12.0
3	蔡炜颖	中国科学院上海技术物理研究所	9	17	2.0	3.0
4	沈学础	中国科学院上海技术物理研究所	17	41	3.0	6.0
5	缪中林	中国科学院上海技术物理研究所	4	5	2.0	2.0
6	徐文兰	中国科学院上海技术物理研究所	11	92	4.0	9.0
7	陈平平	中国科学院上海技术物理研究所	6	8	2.0	2.0
11	史国良	中国科学院上海技术物理研究所	3	1	1.0	1.0