硬件

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 频率响应特性 寄存器文件 乘法器 高性能 小波能量 硬件 一步纺 工艺 引信模拟器
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 113-113
• 页数: 1页
• 分类号: TN

摘要

【正】 Y2000-62422-72 0104808由三～五级 CMOS/SIMOX 电路构成的0.5V,3mV,54×54位乘法器=A 0.5V,3mW,54×54-b multiplierwith a triple-Vth CMOS/SIMOX circuit scheme[会,英]/Fujii,K.& Douseki,T.//1999 IEEE Internation-al SOI Conference Proceedings.—72～74(EC)Y2000-62422-79 0104809采用1.8V,0.25μm 绝缘体上硅工艺的高性能动态寄存器文件频率响应特性=Frequency dependent behaviorof a high performance dynamic register file in 1.8V,0.25μm SOI technology[会,英]/Joshi,R.V.& Hwang,W.//1999 IEEE International SOI Conference Proceed-ings.—79～81(EC)