一种直接提取噪声温度参数的方法

• 作者: 廖怀林 张兴 王阳元 黄如
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET′s 噪声温度参数 参数提取
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 1126-1128
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2715字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.08.033

摘要

本文基于二端口网络噪声理论和噪声关联矩阵给出了一种可以用于MOSFET′s的噪声温度参数(Td,Tg)的直接提取方法.该方法给出了噪声温度参数的显式表达式因而简洁易用,并从噪声温度参数的显式表达式分析了影响噪声温度提取精度的主要因素.同时由于此方法在参数提取时不依赖于源端阻抗的选择,理论上有助于提高参数提取的精度.本文方法得到的噪声温度参数和其他方法得到的结果有很好的一致性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖怀林	北京大学微电子所	13	54	3.0	7.0
2	黄如	北京大学微电子所	87	413	9.0	17.0
3	张兴	北京大学微电子所	120	618	12.0	20.0
4	王阳元	北京大学微电子所	78	1128	15.0	32.0