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摘要:
本文采用感应耦合等离子体刻蚀机(ICP)和低压化学气相淀积(LPCVD)技术制备了硅微孔列阵和连续打拿极,得到具有一定性能的硅微通道板.同时分析讨论了微孔列阵的表面形貌、反应离子刻蚀的尺寸效应以及电子增益系数等问题.与传统工艺相比,新工艺将微通道板基体材料与打拿极材料的选择分开、微孔列阵形成和连续打拿极制作过程分开,以MCP性能的突破找到了新途径.
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文献信息
篇名 硅微通道板电子倍增器
来源期刊 电子学报 学科 工学
关键词 微通道板 长径比 打拿极
年,卷(期) 2001,(12) 所属期刊栏目 科研通信
研究方向 页码范围 1680-1682
页数 3页 分类号 TN304
字数 2592字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.12.026
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 但唐仁 6 43 2.0 6.0
2 卢耀华 4 31 2.0 4.0
3 李野 5 32 2.0 5.0
4 姜德龙 5 37 2.0 5.0
5 端木庆铎 4 55 3.0 4.0
6 高延军 2 30 1.0 2.0
7 富丽晨 1 29 1.0 1.0
8 田景全 2 30 1.0 2.0
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微通道板
长径比
打拿极
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