金属硫族化合物[Ni(en)3](Hen)SbSe4,[Sb(en)3]In3Te7的溶剂热生长及晶体结构

• 作者: 兰瑞芳 吴锵金 林智虹 郑曦 陈日耀 陈震 黄子祥
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 关键词: 硫族化合物 晶体结构 溶剂热生长
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 页码范围: 1785-1789
• 页数: 5页
• 字数: 2994字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2001.11.002

摘要

以溶剂热生长技术(Solvothermal technique)在180 C下以氯化物与具有氧化性的M 2Q(M=K,Rb;Q=Te,Se)反应,制备出新的硫族化合物[Ni(en)3](Hen)SbSe4(1),[Sb(en)3]In3Te7(2).化合物1的阳离子基团为过渡金属Ni与乙二胺(en)的配合物[Ni(en)3]2+及质子化的[Hen]+阳离子,阴离子基团为具有分立结构的[SbSe4]3-.化合物2的阳离子基团为[Sb(en)3]3+,阴离子基团为具有二维结构的2∞[In3Te7]3-.单晶X射线衍射结果表明,晶体1属三斜晶系,P1空间群,晶胞数据a=0.881 43(18)nm,b=0.962 35(19)nm,c=1.427 8(3)nm,α=104.74(3)°,β=92.47(3)°,γ=109.55(3)°,V=1.092 7(4)nm3,Z=2.晶体2属单斜晶系,P21/c空间群,晶胞数据:a=1.069 1(2)nm,b=1.693 2(3)nm,c=1.515 2(3)nm,α=90°,β=94.86(3)°,γ=90°.V=2.732 8(9)nm3,Z=4.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈日耀	福建师范大学实验中心	139	1326	19.0	28.0
2	郑曦	福建师范大学实验中心	140	1410	19.0	29.0
3	陈震	福建师范大学实验中心	183	1766	21.0	30.0
4	兰瑞芳	福建师范大学实验中心	23	415	9.0	20.0
5	黄子祥	中国科学院福建物质结构研究所	8	31	4.0	5.0
6	林智虹	福建师范大学实验中心	18	370	10.0	18.0
7	吴锵金	中国科学院福建物质结构研究所	7	23	3.0	4.0