二氧化钛表面包覆氧化硅纳米膜的热力学研究

• 作者: 孙牧 崔爱莉 王亭杰 金涌
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 二氧化钛 氧化硅 热力学 包覆
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 页码范围: 1543-1545
• 页数: 3页
• 分类号: O612.4
• 字数: 2886字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2001.09.019

摘要

热力学计算结果表明, 氧化硅的临界成核半径为2.8 nm. 由起伏引起的核胚如果小于2.8 nm则不会形成晶核而继续生长. 上述热力学分析虽然是半理想化的, 但是非常有效. 可以找到这样一个体系, 其溶液条件不发生均匀成核, 而是异相表面成核. 这在理论上为氧化硅包覆在二氧化钛表面形成均匀膜而不生成单独的氧化硅相提供了可能性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金涌	清华大学化工系	256	5585	39.0	62.0
2	王亭杰	清华大学化工系	39	1802	22.0	39.0
3	崔爱莉	清华大学化学系	25	705	9.0	25.0
4	孙牧	中国科学院物理研究所	3	100	1.0	3.0