选择外延MOVPE的表面迁移

• 作者: 周帆 王圩 董杰 邱伟彬
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 选择外延 边缘尖角 InGaAsP Ⅴ/Ⅲ比
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 212-214
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1188字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.03.018

摘要

研究了采用选择外延MOVPE生长InGaAsP的组分随掩模宽度的变化规律,以及InGaAsP表面边缘尖角随Ⅴ/Ⅲ比的变化.结果表明,随着掩模宽度的增大,In组分增大,Ga 组分减少;随着Ⅴ/Ⅲ比的增大,InGaAsP 材料表面趋向平坦.对材料边缘尖角的变化规律作出了合理解释,研制出表面平坦的外延材料,为器件研制提供了有效的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董杰	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	26	129	7.0	10.0
2	王圩	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	47	124	6.0	7.0
3	邱伟彬	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	6	5	1.0	2.0
4	周帆	中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心	28	59	4.0	5.0