复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布

• 作者: 何进 张兴 王阳元 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI技术 MOS器件 界面陷阱分布 热载流子效应 复合栅控二极管技术
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 296-300
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2654字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.03.013

摘要

提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子研究所	120	618	12.0	20.0
3	王阳元	北京大学微电子研究所	78	1128	15.0	32.0
4	何进	北京大学微电子研究所	24	84	5.0	8.0