高择优取向Cu电沉积层的XRD研究

• 作者: 周绍民 姚士冰 杨防祖 辜敏 黄令
• 来源期刊: 电化学
• 学科: 化学
• 关键词: 电沉积 Cu镀层 结构
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 282-287
• 页数: 6页
• 分类号: O646
• 字数: 3940字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3471.2002.03.007

摘要

采用电化学和XRD方法在CuSO4+H2SO4电解液中获得Cu电沉积层并研究其结构.结果表明,在4.0 A/dm2和15.0 A/dm2电流密度下可分别获得(220)和(111)晶面高择优取向Cu镀层;Cu镀层晶面织构度随厚度提高而增大,获得(111)晶面高择优Cu镀层的厚度约是(220)晶面的7倍,说明Cu(220)晶面比(111)晶面是更易保留的晶面,且低电流密度下铜的电结晶更容易受电沉积条件控制;较高的沉积电流密度有利于晶核的形成;Cu镀层存在晶格畸变和晶胞参数的涨大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周绍民	厦门大学化学系固体表面物理化学国家重点实验室	47	624	15.0	22.0