减少MOSFET开通损耗的输出电容优化曲线的研究

• 作者: 冷朝霞 王华民 田健
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 损耗 电容 优化设计/金属氧化物场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 72-75
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2614字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2002.03.024

摘要

介绍了利用输出电容的电荷存储效应来分析由于寄生输出电容的存在给MOSFET器件动态开通时带来的附加损耗,并进一步介绍了能够减少这部分损耗的输出电容曲线的优化过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冷朝霞		23	215	10.0	14.0
2	王华民		42	586	13.0	23.0
3	田健		8	176	5.0	8.0