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摘要:
利用助熔剂提拉法,分别从掺入11mol%K2O的同成份LiNbO3熔体中和从掺入19mol%*!K2O的化学配比LiNbO3熔体中生长出高质量近化学计量比LiNbO3单晶.对这两种从不同配比熔体中生长的晶体进行光谱分析表明,与同成份比LiNbO3相比较,其紫外吸收边出现明显蓝移,OH红外吸收峰的位置和线宽也都有显著的变化.室温极化反转测试显示,两种晶体的矫顽场分别为4.4kV/mm和0.8kV/mm.根据所得测量结果,估计两种晶体中Li2O的含量分别为49.6mol%和49.9mol%.其中从掺19mol% K2O化学配比LiNbO3熔体中生长出的LiNbO3单晶的Li2O含量已非常接近50mol%的化学配比.进一步优化生长工艺,获得成份均匀、大尺寸化学计量比晶体的工作正在进行中.
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文献信息
篇名 助熔剂提拉法生长化学计量比LiNbO3晶体
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 铌酸锂晶体 化学计量比 助熔剂提拉法 吸收光谱
年,卷(期) 2002,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 314-317
页数 4页 分类号 O782
字数 2261字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.020
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人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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