MBE生长高功率列阵激光器的研究

• 作者: 张兴德 李忠辉 杨进华 王玉霞 王玲
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 列阵激光器 分别限制 量子阱
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 430-432
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1458字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-1093.2002.03.038

摘要

利用V80型MBE生长GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱(GRIN-SCH-SQW)结构.测试结果表明,该结构晶格和光学质量符合设计要求.制成激光器列阵,室温连续输出功率达7.2W,峰值波长为807～809nm,经柱透镜光纤耦合后的光强远场分布为θ∥=8°,θ⊥=3.5°.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨进华	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	77	405	10.0	14.0
2	王玲	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	8	66	5.0	8.0
3	李忠辉	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	2	5	1.0	2.0
4	王玉霞	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	20	136	6.0	11.0
5	张兴德	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	1	0	0.0	0.0