调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结构的微应变

• 作者: 吴小山 姜晓明 沈波 沙昊 蒋树声 蔡宏灵 谭伟石 贾全杰 郑文莉
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: AlxGa1-xN/GaN异质结构 高分辨X射线衍射 微结构 应变 弛豫线模型
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 页码范围: 799-804
• 页数: 6页
• 分类号: O472.3
• 字数: 3157字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2002.10.008

摘要

用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)测量了其对称反射(0002)和非对称反射(1014)的倒易空间图(RSM).分析结果表明,势垒层内部微结构与应变状态和下层i-GaN的微结构与应变状态互相关联,当厚度大于750时,势垒层开始发生应变弛豫,临界厚度大于500.势垒层具有一种"非常规"应变弛豫状态,这种状态的来源可能与n-AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α-Al2O3界面应变弛豫状态有关.