高注量中子辐照金红石单晶电学特性的研究

• 作者: 卢铁城 徐雪春 承刚 林理彬 田云飞 赵纯培
• 来源期刊: 四川大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 中子辐照 金红石单晶 电学特性
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 页码范围: 1070-1073
• 页数: 4页
• 分类号: O571.33|O738
• 字数: 3030字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2002.06.021

摘要

金红石单晶体经中子辐照后,不仅由无色透明变为深兰色,而且导电特性发生很大变化,且由高绝缘材料变为n型半导体.作者分别在低温、室温及高温下,研究了样品电阻随温度的变化关系,并在空气和真空气氛下,对比研究了气氛对辐照后样品导电特性的影响.结果表明,金红石晶体经中子辐照后,在低温下具有典型的半导体导电特性;在高温下于空气中退火,样品会被逐渐氧化,最后变为无色的绝缘体;在10-4Pa高真空气氛中退火,样品表现出点缺陷导电行为,且缺陷离子具有两个不同的激发能级(0.06eV和0.12eV),分别对应子H+和Ti3+,且在整个过程中没有发现样品被氧化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田云飞	四川大学分析测试中心	17	145	5.0	11.0
2	赵纯培	四川大学分析测试中心	7	46	4.0	6.0