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摘要:
金红石单晶体经中子辐照后,不仅由无色透明变为深兰色,而且导电特性发生很大变化,且由高绝缘材料变为n型半导体.作者分别在低温、室温及高温下,研究了样品电阻随温度的变化关系,并在空气和真空气氛下,对比研究了气氛对辐照后样品导电特性的影响.结果表明,金红石晶体经中子辐照后,在低温下具有典型的半导体导电特性;在高温下于空气中退火,样品会被逐渐氧化,最后变为无色的绝缘体;在10-4Pa高真空气氛中退火,样品表现出点缺陷导电行为,且缺陷离子具有两个不同的激发能级(0.06eV和0.12eV),分别对应子H+和Ti3+,且在整个过程中没有发现样品被氧化.
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文献信息
篇名 高注量中子辐照金红石单晶电学特性的研究
来源期刊 四川大学学报(自然科学版) 学科 物理学
关键词 中子辐照 金红石单晶 电学特性
年,卷(期) 2002,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1070-1073
页数 4页 分类号 O571.33|O738
字数 3030字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0490-6756.2002.06.021
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 田云飞 四川大学分析测试中心 17 145 5.0 11.0
2 赵纯培 四川大学分析测试中心 7 46 4.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
中子辐照
金红石单晶
电学特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
四川大学学报(自然科学版)
双月刊
0490-6756
51-1595/N
大16开
成都市九眼桥望江路29号
62-127
1955
chi
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