UVB与钙离子对体外培养人角质形成细胞表达天疱疮抗原的影响

• 作者: 曾建英 渠涛 王宝玺 邵燕玲
• 来源期刊: 中华皮肤科杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 角蛋白细胞 天疱疮 钙 紫外线
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 449-451
• 页数: 3页
• 分类号: R75
• 字数: 3024字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3760/j.issn:0412-4030.2002.06.009

摘要

目的研究中波紫外线(UVB)照射以及不同钙离子浓度对角质形成细胞表达天疱疮抗原的影响.方法通过改变培养基中的钙离子浓度以及采用不同剂量UVB照射体外培养的人角质形成细胞,在不同时间段以寻常型天疱疮(PV)或落叶型天疱疮(PF)血清作为一抗进行免疫荧光检测,观察寻常型天疱疮抗原(PVA)和落叶型天疱疮抗原(PFA)的表达情况;提取细胞或皮肤表皮组织蛋白质,用PV和PF血清进行免疫印迹检测.结果无论是否增加钙离子浓度,体外培养人角质形成细胞间隙均可以检测到PV血清特异性着色.只有增加培养基中钙离子浓度后,形成的复层化角质形成细胞间隙才可以检测到PF血清特异性荧光着色.不同剂量UVB照射后的角质形成细胞均不产生PF血清的特异性着色.PF血清与160000条带反应,PV血清可与130000和160000两条带反应.结论体外培养的单层或复层角质形成细胞均可以表达PVA,提高培养基中钙离子浓度可以诱导培养人角质形成细胞复层化并表达PFA,而UVB照射不能促使人角质形成细胞在体外培养条件下表达PFA.