纳米碳化硅粉的制备及其微波介电行为

• 作者: 孙晶晶 张波 张淑霞 李建保 翟华嶂
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 介电性能 缺陷 碳热还原 碳化硅纳米粉
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 19-21
• 页数: 3页
• 分类号: TQ129
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2002.01.006

摘要

通过碳热还原法合成了纳米SiC粉并对其在8.2～12.4GHz频率范围的介电参数进行了测量.通过改变铝含量和反应气氛分别得到了β,12H和21R型碳化硅粉.β-SiC粉具有比α-SiC粉高得多的相对介电常数ε′r=30～50)和介电损耗角正切值(tgδ=～0.7).虽然Al和N的固溶将SiC粉的电阻率减小到102Ω*cm的量级,但其相对介电常数和介电损耗却并没有增加,反而随Al含量的增加降低.