As离子注入碲镉汞的p+n结红外探测器

• 作者: 曾戈红 赵晋云 马智玲
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碲镉汞 HgCdTe p+n结 红外探测器 退火 As离子注入
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 46-48,26
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 2266字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.04.012

摘要

讨论了制作pn结的另一种途径,即在n型HgCdTe材料上离子注入As+,然后通过辐射快速退火形成反型p+层来获得p+n结.通过对制作工艺及实验结果的讨论,阐述了两种制作pn结工艺的特点.实验表明,采用辐射快速退火工艺可以在短时间内完成对HgCdTe注入表面的缺陷退火和杂质激活,而不会改变HgCdTe 组份.已用此方法在注入As+的n型HgCdTe样片上制作出性能较好的p+n结光伏红外探测器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马智玲		2	5	1.0	2.0
2	赵晋云		3	5	1.0	2.0
3	曾戈红		1	0	0.0	0.0