低能N+离子束注入香瓜种子引起的变异及后代基因组的RAPD分析

• 作者: 余增亮 吴李君 宋道军 李玉峰 陈若雷
• 来源期刊: 激光生物学报
• 学科: 化学
• 关键词: 香瓜 N+注入 叶型 RAPD分析
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 离子束生物工程
• 页码范围: 75-78
• 页数: 4页
• 分类号: O613.61|Q631
• 字数: 2681字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7146.2002.01.017

摘要

用低能N+离子束对香瓜种子进行不同能量和剂量组合的处理.从各处理组与对照组当代和第三代苗期形态特征观察、考种中发现:在一定能量和剂量组合下,处理组香瓜叶型和果肉厚度发生了明显的变化,这种形态学变化是可遗传的.应用随机引物扩增多态性 DNA (Random amplified polymorphic DNA即RAPD) 技术分析对照组和注入低能N+离子束处理组的香瓜总DNA的结果显示:100种随机引物中的24种引物扩增出44条多态性片段,且其中一种引物所扩增的条带与叶型变化相连锁.表明低能N+注入香瓜种子可引起其基因组DNA发生变异,一定注入剂量和能量的组合,可导致特异性的变异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余增亮	中科院等离子体物理研究所等离子体生物工程研究室	21	364	9.0	19.0
2	吴李君	中科院等离子体物理研究所等离子体生物工程研究室	3	89	3.0	3.0
3	陈若雷	中科院等离子体物理研究所等离子体生物工程研究室	2	60	2.0	2.0
4	宋道军	中科院等离子体物理研究所等离子体生物工程研究室	2	60	2.0	2.0
5	李玉峰	中科院等离子体物理研究所等离子体生物工程研究室	2	40	2.0	2.0