原位氮掺杂对CVD金刚石薄膜生长和结构的影响

• 作者: 刘小平 屈菊兰 谢二庆 贺德衍 邵乐喜 陈光华
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮掺杂 化学气相沉积金刚石薄膜 结构 形貌
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 221-223,233
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 1941字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2002.03.015

摘要

以氮气为杂质源,采用微波等离子体化学气相沉积技术进行了金刚石薄膜的原位掺杂,研究了氮掺杂对CVD金刚石薄膜的形貌结构和生长行为的影响.运用SEM,Raman,XRD和FTIR等手段对样品进行了分析表征.实验结果表明,原位氮掺杂的CVD金刚石薄膜的晶面显露、晶粒尺寸、致密性、生长速率以及薄膜的微结构特征等均强烈地依赖于反应气体中氮源浓度比;如果氮源气体流量适当,杂质氮不仅能进入金刚石薄膜晶格中,还能与薄膜中碳原子形成化学键结合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢二庆	兰州大学物理科学与技术学院	84	371	11.0	14.0
2	贺德衍	兰州大学物理科学与技术学院	68	559	13.0	19.0
3	屈菊兰	湛江师范学院测试中心	27	272	10.0	16.0
4	陈光华	北京工业大学材料科学与工程学院	65	396	11.0	16.0
5	刘小平	湛江师范学院物理系	11	60	5.0	7.0
6	邵乐喜	湛江师范学院物理系	22	106	6.0	9.0