钕掺杂对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻瓷电性能的影响

• 作者: 亓鹏 王矜奉 陈洪存 高建鲁 高琨
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化锡 压敏电阻器 电学性能
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试剂
• 页码范围: 1-3，6
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.93
• 字数: 2259字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2002.11.001

摘要

通过对样品的伏安特性,晶界势垒的测量和分析,研究了Nd2O3对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻瓷电性能的影响.发现掺入x(Nb2O3)为0.050%的样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为460.69 V/mm,密度为6.812 g/cm3,非线性系数为18.7.为了说明电学非线性的起源,提出了SnO2压敏材料的一个缺陷势垒模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王矜奉	山东大学物理与微电子学院	64	562	13.0	20.0
2	陈洪存	山东大学物理与微电子学院	40	335	12.0	15.0
3	亓鹏	山东大学物理与微电子学院	13	107	7.0	10.0
4	高建鲁		5	37	5.0	5.0
5	高琨	山东大学物理与微电子学院	6	12	2.0	3.0