C60膜上金刚石的成核与生长形貌研究

• 作者: 刘波 干福熹 王豪 阮昊
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: C60 金刚石薄膜 成核
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 153-157
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2152字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2002.02.018

摘要

本文研究了HFCVD系统中覆盖有C60膜的Si(100)衬底上金刚石的成核与形貌特征.结果表明,C60能大幅度提高金刚石成核密度;C60氢化预处理能大幅度促进金刚石成核,但要合理控制CH4的浓度和预处理时间;随衬底温度的升高,金刚石晶粒由球状变为菜花状聚晶.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	干福熹	中国科学院上海光学精密机械研究所	288	2527	23.0	29.0
2	刘波	中国科学院上海光学精密机械研究所	266	2712	24.0	39.0
3	阮昊	中国科学院上海光学精密机械研究所	40	336	7.0	17.0
4	王豪	中国科学院上海光学精密机械研究所	5	7	2.0	2.0