加速器驱动次临界系统的中高能质子轰击厚靶中子学实验研究

• 作者: A.N.Sosnin B.A.Kulakov M.I.Krivopustov P.Vater R.Brandt 万俊生 史永谦 李丽 申庆彪 郭士伦
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 加速器驱动次临界系统 厚靶 中子学
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 554-557
• 页数: 4页
• 分类号: X382|O571.422
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2002.06.017

摘要

利用俄罗斯杜布纳联合核子研究所的高能加速器进行加速器驱动次临界系统(ADS)靶区中子学研究.用 0.533、1.0、3.7和 7.4 GeV 质子轰击 U(Pb)、Pb和Hg靶的测量结果表明:U(Pb)和Pb与Hg靶的中子产额比分别为(2.01±0.10)和 (1.76±0.33),从获得较强中子的角度看,Hg作为ADS 靶是不利的;沿厚20 cm 靶的中子产额随入射质子穿透深度增大而下降,质子能量越低,中子产额下降越快,为在较大厚度范围内获得较均匀的中子场,质子能量不应低于1 GeV;不同能量质子产生的次级中子能谱相近,但随质子能量提高,较高能量中子的比例逐渐增大.