多孔硅光电导特性研究

• 作者: 丁铁骑 徐伟弘 王发强 许国良
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 光电导 阳极氧化
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 220-222,238
• 页数: 4页
• 分类号: O471.1|TN304
• 字数: 2279字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-488X.2002.04.007

摘要

多孔硅材料具有较强的可见光光电导效应,本文采用阳极氧化工艺制作了Al/PS/Si/Al的结构样品,给出了由不同工艺制备的样品的光电导响应曲线及其峰值.结果表明:多孔硅禁带宽度在1.9 eV左右,大于Si的禁带宽度1.12 eV,这与多孔硅的发光现象和能带展宽理论相一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王发强	南京大学光通信工程研究中心	7	36	4.0	5.0
2	许国良	南京大学光通信工程研究中心	24	288	7.0	16.0
3	徐伟弘	东南大学电子工程系	5	81	2.0	5.0
4	丁铁骑	南京大学光通信工程研究中心	6	83	2.0	6.0