GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算

• 作者: 康俊勇 沈耀文
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 杂质能级 电子结构
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 645-648
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2670字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.03.035

摘要

用局域密度泛函线性丸盒轨道大型超原胞方法(32个原子),对纯纤锌矿结构的GaN用调节计算参数(如原子球与"空球"的占空比)在自洽条件下使Eg的计算值(3.23eV)接近实验值(3.5eV).然后以原子替代方式自洽计算杂质能级在Eg中的相对位置.模拟计算了六角结构GaN中自然缺陷以及与C和O有关的杂质能级位置,包括其复合物.计算结果表明,单个缺陷如镓空位VGa、氮空位VN、氧代替氮ON、炭代替氮CN、炭代替镓CGa等与已有的计算结果基本一致.计算结果表明杂质复合物会导致单个杂质能级位置的相对变化.计算了CN-ON,CGa-CN,CN-OV和CGa-VGa,其中CN-ON分别具有深受主与浅施主的特征,是导致GaN黄光的一种可能的结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康俊勇	厦门大学物理系	29	84	5.0	8.0
2	沈耀文	厦门大学物理系	5	45	3.0	5.0