离子束增强沉积技术

• 作者: 何锦涛 席仕伟
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 离子束增强 铜膜 离子源
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 458-461
• 页数: 4页
• 分类号: TG174.444
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2002.04.045

摘要

采用离子束增强沉积(IBED)铜过渡层和电子束蒸镀铜膜结合制备的单质膜结构,比采用电子束蒸镀钛-铜多层膜结构工艺简单,且不增加光刻腐蚀工艺难度,铜膜沉积于低表面粗糙度(Ry≤0.1 μm)的氧化铝陶瓷基片表面获得了良好的膜-基附着力.实验证明:IBED铜过渡层和电子束蒸镀铜膜结合的制膜方法是目前几种制造器件的工艺方法中最佳制膜工艺方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	席仕伟	中国工程物理研究院电子工程研究所	12	59	4.0	7.0
2	何锦涛	中国工程物理研究院电子工程研究所	1	11	1.0	1.0