薄膜全耗尽积累型SOI MOS器件在(27～300℃)宽温区高温特性的研究

• 作者: 冯耀兰 宋安飞 张正 施雪捷 樊路加
• 来源期刊: 电子器件
• 关键词: 绝缘体上硅 金属-氧化物-半导体 薄膜 积累型 高温特性
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 字数: 2364字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2002.01.004

摘要

本文在对p+ p p+结构薄膜全耗尽积累型SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在(27～300℃)宽温区高温特性,理论和实验研究结果表明p+p p +结构薄膜全耗尽积累型SOI MOS器件实验样品在(27～300℃)宽温区具有良好的高温特性 .

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋安飞	东南大学微电子中心	9	26	3.0	4.0
2	冯耀兰	东南大学微电子中心	11	26	3.0	4.0
3	樊路加	东南大学微电子中心	4	8	2.0	2.0
4	施雪捷	东南大学微电子中心	1	2	1.0	1.0