In0.5(Ga1-xAlx)0.5P合金的掺杂生长特性

• 作者: 丁晓民 于彤军 张国义 李忠辉 杨志坚 胡晓东
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAlP LP-MOCVD 掺杂剂 掺杂特性
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 469-472
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 1675字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2002.05.011

摘要

利用LP-MOCVD分别生长Zn和S掺杂的In0.5(Ga1-xAlx)0 5P外延层,研究生长温度、掺杂源流量、V/Ⅲ比、Al组分以及衬底晶向偏离等生长条件对外延层掺杂浓度的影响.实验结果表明:降低生长温度和Al含量、增加DEZn流量、选择由(100)向(111)A偏6～15的衬底都有利于增加IRGaAlP合金中Zn的掺杂浓度;提高生长温度和增加SIH4流量、减小Al含量和V/Ⅲ比,都有助于增加Si掺杂浓度,而衬底晶向对Si掺杂浓度无影响.