SiGe开关功率二极管的计算机模拟及优化设计

• 作者: 杨媛 陈波涛 高勇
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe/Si异质结 通态压降 存贮电荷
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 140-143
• 页数: 4页
• 分类号: TN313+.4|TN313+.6
• 字数: 1928字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2002.02.007

摘要

介绍了新型SiGe开关功率二极管结构及机理,在对器件正反向特性进行模拟的基础上进一步进行了优化设计,并对其动态特性进行了模拟.与正反向特性模拟结果综合比较得出,取20%的Ge含量和20 nm 的SiGe层厚时,器件性能最优.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学自动化与信息工程学院	189	1184	15.0	26.0
2	陈波涛	西安理工大学自动化与信息工程学院	3	14	1.0	3.0
3	杨媛	西安理工大学自动化与信息工程学院	92	559	12.0	19.0