无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究

• 作者: 张晓丹 王永晨 赵杰 金鹏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 无杂质空位诱导无序 光荧光谱 光调制反射谱
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 119-123
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 3204字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2002.02.004

摘要

采用光荧光谱(PL)和光调制反射谱(PR)的方法,研究了由Si3N4、SiO2电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱(MQws)结构的带隙蓝移.实验中Si3N4、SiO2作为电介质盖层,用来产生空位,再经过快速热退火处理(RTA).实验结果表明:多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关.带隙蓝移随退火温度的升高而加大.InP、Si3N4复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2复合盖层.而InGaAs、SiO2复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3N4复合盖层.同时,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致,因此,PR谱是用于测试带隙变化的另一种方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵杰	天津师范大学物理与电子信息学院	40	171	8.0	11.0
2	张晓丹	天津师范大学物理与电子信息学院	4	7	2.0	2.0
3	王永晨	天津师范大学物理与电子信息学院	16	24	3.0	4.0
4	金鹏	南开大学物理系	2	6	2.0	2.0