在织构Ni衬底上用电子束蒸发沉积YSZ阻挡层

• 作者: 刘慧舟 宫声凯 杨坚 王晓华 胡广勇 舒勇华
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 92-95
• 页数: 4页
• 分类号: O51
• 字数: 1502字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2002.02.003

摘要

用轧制及再结晶方法制备了高度立方织构的金属Ni(镍)基带.采用电子束蒸发的方法在几个厘米长的Ni基带表面上生长YSZ(钇稳定二氧化锆)阻挡层.X射线衍射分析表明,YSZ层具有纯c轴取向和良好的平面内取向及立方织构.扫描电镜观察表明,YSZ阻挡层连续致密无裂纹.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宫声凯		101	1626	20.0	36.0
2	杨坚		34	201	6.0	13.0
3	舒勇华		4	15	3.0	3.0
4	刘慧舟		24	209	6.0	14.0
5	胡广勇		16	57	5.0	6.0
6	王晓华		12	45	4.0	6.0