分子电负性距边连接性标量指数(∧)在金属卤化物的结构表达和性质预测中的应用

• 作者: 仇亮加 李志良 李波 胡力玫
• 来源期刊: 重庆师范学院学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 分子电负性距边连接性标量指数 无机物 结构表达 性质预测 晶格能 标准生成焓 多元线性回归
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 理论与应用研究
• 页码范围: 54-58
• 页数: 5页
• 分类号: O614.2|R914.2
• 字数: 3234字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6693.2002.04.014

摘要

基于化合物分子的拓扑图结构建立的分子电负性距边连接性指数(a novel scalar index of molecular electron-egativity distsnce-edge connectivity,Imedc,∧),在对有机物的定量构效关系(QSAR/QSPR)研究中,具有高度选择性、相关性、稳定性和良好的预测能力;本文尝试将其扩展到无机物:以分子电负性距边连接性指数(Imedc,∧)实现对金属卤代化合物的结构性质的表征及相关研究.运用多元线性回归(MLR)方法,以此分子电负性距边连接性指数建立20个碱金属卤代化合物的晶格能(U)和34个过渡族金属卤代化合物的标准生成焓(△fHθ)结构性质相关模型,对于碱金属卤代化合物的晶格能相关模型的相关系数为RMX=0.973 2(n=20),对于过渡族金属卤代化合物的标准生成焓RMX=0.890 7(n=34),取得令人满意的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志良	重庆大学化学化工学院	134	1393	19.0	33.0
2	李波	重庆大学化学化工学院	52	462	13.0	19.0
3	仇亮加	重庆大学化学化工学院	2	1	1.0	1.0
4	胡力玫	重庆师范学院化学系	9	26	4.0	5.0