3UCVD SiGe工艺的神经网络模型

• 作者: 孙建诚 李培咸 胡辉勇
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe 超高真空、超低压、深紫外光能辅助化学气相淀积 神经网络 拟合
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 61-64
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 2126字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2002.01.015

摘要

介绍了用于生长SiGe材料的3UCVD设备的简要情况.对3UCVD工艺系统构建了神经网络模型;基于误差反向传播(BP)学习算法设计了一种自动调整网络结构和训练精度的网络训练方法;利用3UCVD工艺实验的数据样本编制程序,对数据样本进行了训练拟合;并利用训练后的网络进行了工艺预测,网络预测的结果和实验结果符合良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡辉勇	西安电子科技大学微电子研究所	64	367	10.0	15.0
2	孙建诚	西安电子科技大学微电子研究所	6	10	2.0	3.0
3	李培咸	西安电子科技大学微电子研究所	36	324	10.0	17.0