硅片缺陷粒径分布参数的提取方法

• 作者: 赵天绪 郝跃 陆勇 马佩军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 缺陷 故障 粒径分布 成品率
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 315-318
• 页数: 4页
• 分类号: TN40
• 字数: 2301字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.03.017

摘要

利用电学测量方法,给出了在集成电路制造过程中,影响光刻工艺的各种颗粒尘埃(缺陷)的粒径分布参数提取方法.首先基于双桥微电子测试结构,通过具体制造工艺得到数据,然后处理得到故障的粒径分布.再利用缺陷与故障之间的关系,进一步推导出缺陷粒径分布的参数.结果表明该方法适合于不同的缺陷粒径分布模型,而且得到的参数可以用于集成电路成品率预测.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	马佩军	西安电子科技大学微电子研究所	34	163	8.0	10.0
3	赵天绪	西安电子科技大学微电子研究所	23	88	6.0	8.0
4	陆勇	西安电子科技大学微电子研究所	1	5	1.0	1.0