GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化

• 作者: 徐仲英 罗向东 葛惟琨
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaNAs 红外 量子阱
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 109-113
• 页数: 5页
• 分类号: O472.31
• 字数: 1222字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2002.02.002

摘要

我们利用光荧光(PL)以及时间分辨光谱(TRPL)研究了用MBE生长在GaAs衬底上的GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化.研究发现,在低温下用连续光(Cw)激发,由于GaNAs中势振荡所产生的局域激子发光是所测量到光谱的主要发光来源.然而在脉冲激发下,情况完全不同.在高载流子密度激发或者高温下GaNAs/GaAs量子阱中例外,一个高能端的PL峰成为了主要的发光来源.通过研究,我们将这个新的发光峰指认为量子阱中非局域激子复合的PL峰.这个发光峰在温度和激发强度的变化过程中与局域激子相互竞争.我们相信这一过程也是许多文献所报道的在InGaN和AlGaN等氮化物中经常观测到的发光峰位随温度"S"形变化的主要根源.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐仲英	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	14	31	3.0	5.0
2	罗向东	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	10	31	3.0	5.0
3	葛惟琨	香港科技大学物理系	3	11	2.0	3.0