CdTe薄膜的制备方法比较及其结构性能研究

• 作者: 孙严飞 徐金宝 李锦 郑毓峰 陈树义
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: CdTe薄膜 制备 掺杂
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 508-510
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 3115字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2002.05.019

摘要

采用真空热蒸发VE、射频溅射沉积RF和近距离升华CSS技术制备CdTe薄膜,并对其进行掺杂研究.样品利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计和霍尔系数测量系统进行测试.结果显示,CSS制备的CdTe薄膜与VE和RF法制备的薄膜相比,晶粒大,晶形好.适当的掺杂某些元素,适当的掺杂量,可以改善CdTe薄膜的结晶性能,提高其导电性能.掺杂对CdTe薄膜的光能隙影响不大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑毓峰	新疆大学物理系	56	610	13.0	23.0
2	陈树义	新疆大学物理系	5	29	3.0	5.0
3	徐金宝	新疆大学物理系	10	107	6.0	10.0
4	李锦	新疆大学物理系	22	68	6.0	7.0
5	孙严飞	新疆大学物理系	1	13	1.0	1.0