Pb1-xGexTe薄膜在铁电相变点的折射率异常

• 作者: 张凤山 张素英 李斌 江锦春
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Pb1-xGexTe 折射率 铁电相变 Moss定则
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1062-1066
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 2527字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.10.011

摘要

对在80～300K温度范围测量的Pb1-xGexTe(x=0.06)薄膜透射谱采用Lorentz谐振子模型进行拟合得到折射率.研究发现:在其铁电相变温度150K折射率出现极大值.折射率的极大值是晶体电容率异常的标志,而晶体电容率异常正是晶体相变具有铁电性的反映,因此同电阻和比热一样,折射率在铁电相变点也出现了异常.在所研究的光谱及温度范围,折射率与材料的禁带宽度不遵循Moss定则等经验公式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	中国科学院上海技术物理研究所	372	5610	37.0	58.0
3	张凤山	中国科学院上海技术物理研究所	36	251	8.0	14.0
4	张素英	中国科学院上海技术物理研究所	14	22	3.0	3.0
5	江锦春	复旦大学现代物理研究所	2	5	1.0	2.0