Ar气压对射频磁控溅射铝掺杂ZnO薄膜特性的影响

• 作者: 孙荣霞 宋登元 宗晓萍 王永青 郭宝增
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 铝掺杂 射频磁控溅射 溅射气压 SEM形貌
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1078-1082
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 3400字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.10.014

摘要

在Corning 1737玻璃衬底上射频磁控溅射沉积了铝掺杂ZnO薄膜(ZnO∶Al).薄膜沉积在衬底温度250℃、溅射功率100W和纯氩气氛中进行.通过在0.2～3.2Pa范围改变溅射氩气氛压力pAr,研究了不同pAr对样品的晶体结构、电学特性、光学特性和表观形貌的影响.利用X射线衍射(XRD)、透射和反射谱测量、扫描电子显微镜(SEM),发现不同pAr下ZnO∶Al薄膜都具有垂直于衬底C轴择优取向.在可见光谱范围,pAr对透过率的影响非常小,薄膜的平均透过率大于83%,但红外透过率与薄膜的电阻率成正比.在较低的溅射气压下(pAr=0.2Pa)获得的薄膜电阻率最小,对应有大的光学带隙(3.61eV).随着pAr的降低,晶粒尺寸增大.pAr对ZnO∶Al薄膜的表观形貌有显著的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙荣霞	河北大学电子信息工程学院	42	210	7.0	13.0
2	郭宝增	河北大学电子信息工程学院	61	447	11.0	19.0
3	宗晓萍	河北大学电子信息工程学院	56	352	9.0	16.0
4	王永青	河北大学电子信息工程学院	28	248	6.0	15.0
5	宋登元	河北大学电子信息工程学院	14	194	6.0	13.0