氮化硅薄膜制备和生长动力学研究进展

• 作者: 杨德仁 祝洪良 裴艳丽
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 氮化 动力学 硅生 长机理
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 34-36
• 页数: 3页
• 分类号: TB3
• 字数: 3767字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2002.12.011

摘要

综述了氮化硅在微电子中的应用、制备,阐述了用氮气直接氮化的影响因素、膜生长的机理和动力学,以及未来的研究方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	祝洪良	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	28	2.0	3.0
3	裴艳丽	浙江大学硅材料国家重点实验室	4	36	3.0	4.0