HgCdTe MIS器件制备及其C-V特性研究

• 作者: 张朝阳 张鹏翔 蔡毅
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe MIS器件 C-V特性 ZnS
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 42-45
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 2932字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.05.011

摘要

通过在P-HgCdTe上生长阳极硫化膜和ZnS介质钝化层,制备出了性能较好的MIS器件,并通过对MIS器件C-V特性的分析,获得了ZnS/自身钝化膜/P-HgCdTe的界面特性.所测的界面电荷密度在1010～1011cm-2之间,平带电压在2 V以下.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡毅		29	641	12.0	25.0
2	张鹏翔	昆明理工大学材料系	148	1293	19.0	28.0
3	张朝阳	昆明理工大学材料系	1	1	1.0	1.0