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摘要:
对使用超声搅拌和不加搅拌时(100)单晶硅的腐蚀特性进行了研究和对比.使用超声搅拌,可以得到光滑的、无小丘的腐蚀表面,整个硅片腐蚀深度的误差不超过1μm.实验结果表明,该方法可以有效地实现精密KOH各向异性体硅腐蚀.
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内容分析
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文献信息
篇名 使用超声搅拌实现精密KOH各向异性体硅腐蚀
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 MEMS 各向异性腐蚀 超声搅拌 KOH 表面粗糙度 均匀性 腐蚀速率
年,卷(期) 2002,(4) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 362-366
页数 5页 分类号 TN305.2
字数 751字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.04.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘理天 清华大学微电子学研究所 230 1519 19.0 23.0
2 李志坚 清华大学微电子学研究所 84 451 11.0 15.0
3 谭智敏 清华大学微电子学研究所 18 114 7.0 9.0
4 方华军 清华大学微电子学研究所 11 77 4.0 8.0
5 陈兢 清华大学微电子学研究所 7 54 4.0 7.0
6 刘燕翔 清华大学微电子学研究所 5 88 5.0 5.0
7 徐扬 清华大学微电子学研究所 15 16 2.0 3.0
8 蒋前哨 清华大学微电子学研究所 1 9 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
MEMS
各向异性腐蚀
超声搅拌
KOH
表面粗糙度
均匀性
腐蚀速率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
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1980
eng
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