直流热阴极PCVD法制备金刚石厚膜

• 作者: 吕宪义 姜志刚 白亦真 金曾孙
• 来源期刊: 新型炭材料
• 学科: 化学
• 关键词: 热阴极 PCVD 金刚石厚膜
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 9-12
• 页数: 4页
• 分类号: O613.71|TQ163
• 字数: 2598字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1007-8827.2002.02.003

摘要

建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(Plasma Chemical Vapour Deposition)方法.通过采用温度为1100℃～1500℃的热阴极以及阴极和阳极尺寸不相等配置,在大的放电电流和高的气体气压下实现了长时间稳定的辉光放电,并用这种方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜,其厚膜直径为40mm～50mm,膜厚为～4.2mm,生长速率最高达到25μm/h左右,在5μm/h～10μm/h的生长速率下制出的金刚石厚膜,热导率一般在10W/K*cm～12W/K*cm.高导热金刚石厚膜用做半导体激光二极管列阵的热沉和MCM的散热绝缘基板,明显地改善了它们的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕宪义	吉林大学超硬材料国家重点实验室	27	302	10.0	17.0
2	金曾孙	吉林大学超硬材料国家重点实验室	50	462	12.0	19.0
3	姜志刚	吉林大学超硬材料国家重点实验室	21	157	6.0	12.0
4	白亦真	吉林大学超硬材料国家重点实验室	6	78	4.0	6.0