强束流钼注入铝中的反常分布研究

• 作者: 杨建华
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 反常扩散 离子注入 背散射
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 学术研究
• 页码范围: 54-56
• 页数: 3页
• 分类号: TG174.44
• 字数: 2578字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2002.05.012

摘要

利用从金属蒸汽真空弧(简称MEVVA)离子源引出的强束流脉冲钼离子对纯铝进行了不同束流密度的离子注入试验.钼离子的加速电压为48 kV,剂量为3×1017cm-2,平均束流密度为25和47 μA*cm-2.透射电镜(TEM)分析证明在注入层内可形成Al12Mo晶体;背散射(RBS)分析证明Al12Mo的厚度可达600至700 nm;结合强束流脉冲注入的特点,根据碰撞理论提出了解释钼反常分布的"蜂窝"模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建华		19	52	4.0	7.0