含磷组分薄膜对InGaAsP/InP多量子阱无序处理的影响

• 作者: 张晓丹 张淑云 杨树人 殷景志 王永晨 赵杰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子阱混合互扩 无杂质空位扩散 等离子体增强化学气相淀积
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 276-279
• 页数: 4页
• 分类号: O47
• 字数: 2866字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.03.009

摘要

报道了采用不同的电介质薄膜SiO2、SiOxNy、Si3N4和SiOxPyNz及其组合用于InGaAsP/InP多量子阱材料的包封源.在高纯氮气保护下经850℃、7s的快速退火处理,结果发现:含磷组分SiOxPyNz电介质薄膜包封下的InGaAsP/InP量子阱带隙展宽十分显著,高达224meV,PL谱峰值波长蓝移342nm,半宽较窄仅为25nm,说明量子阱性能保持十分良好,并对此现象的成因做了初步分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵杰	天津师范大学物理系	40	171	8.0	11.0
2	殷景志	吉林大学电子工程系	15	62	4.0	7.0
3	张晓丹	天津师范大学物理系	4	7	2.0	2.0
4	王永晨	天津师范大学物理系	16	24	3.0	4.0
5	杨树人	吉林大学电子工程系	16	52	4.0	7.0
6	张淑云		3	7	2.0	2.0